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据知情人士透露，美光已暂停其位于台湾桃园、投资 45 亿美元的存储芯片工厂施工，并已通知台方官员和供应商；该厂原计划 2028 年投产。暂停原因是公司高管担心与当地工会达成的协议可能被推翻，美光则表示台湾在其全球布局中地位重要、现有运营正常。

长鑫科技 10 月 31 日晚在第三季度业绩交流会上表示，基于 4F²垂直沟道架构的第六代 DRAM 工艺技术平台已完成工程样片验证，这是该公司首次宣布第六代平台采用 4F²架构。长鑫科技此前称，计划年底面向服务器领域推出融合 4F²技术的新一代 DDR5 RDIMM。需要注意，工程样片验证不等同于量产；该报道为单源且技术细节有限。长鑫科技称，三星和 SK 海力士也将 4F²列为 10nm 级以下的关键方向，而长鑫科技率先完成了工程样片验证。

据路透社援引两名知情人士，长鑫存储已向多家国内 AI 芯片设计公司送样 HBM3E，并计划在未来两个月内启动限量生产。消息称其良率仅 20%–30%，远低于 SK 海力士约 70% 的水平；测试性能更接近上一代 HBM3，且预计售价高于海外同类产品。在美国出口管制造成国内 AI 内存短缺的背景下，长鑫仍推进这一计划。