长鑫科技 10 月 31 日晚在第三季度业绩交流会上表示，基于 4F²垂直沟道架构的第六代 DRAM 工艺技术平台已完成工程样片验证，这是该公司首次宣布第六代平台采用 4F²架构。长鑫科技此前称，计划年底面向服务器领域推出融合 4F²技术的新一代 DDR5 RDIMM。需要注意，工程样片验证不等同于量产；该报道为单源且技术细节有限。长鑫科技称，三星和 SK 海力士也将 4F²列为 10nm 级以下的关键方向，而长鑫科技率先完成了工程样片验证。
背景
Horizon 9 月 21 日的日报曾报道，长鑫第五代技术平台已宣布量产，基于该平台的 24 GB LPDDR5X 产品进入国产旗舰手机；此次第六代平台完成工程样片验证，属于量产前的工艺验证阶段，尚不等同于量产。4F² 架构把 DRAM 存储单元改为垂直沟道，并需通过两片晶圆键合来突破传统平面结构在 10nm 级以下的微缩限制，三星和 SK 海力士也已将其列为关键方向。