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长鑫存储总裁曹堪宇在上海一场行业会议上称，公司计划在年底前推出采用 4F² 设计的数据中心服务器内存芯片，若成功将先于三星和 SK 海力士实现这一设计突破。消息引发芯片股抛售，三星与 SK 海力士周二在韩国市场下跌逾 7%，美光隔夜下跌 4%。分析人士提醒，从产品发布到可盈利量产之间仍存在时间差，且目前公开信息中缺少具体技术细节。Counterpoint 数据显示，长鑫存储今年二季度 DRAM 市场份额升至 10%，去年同期为 4%。

据知情人士透露，美光已暂停其位于台湾桃园、投资 45 亿美元的存储芯片工厂施工，并已通知台方官员和供应商；该厂原计划 2028 年投产。暂停原因是公司高管担心与当地工会达成的协议可能被推翻，美光则表示台湾在其全球布局中地位重要、现有运营正常。

长鑫科技 10 月 31 日晚在第三季度业绩交流会上表示，基于 4F²垂直沟道架构的第六代 DRAM 工艺技术平台已完成工程样片验证，这是该公司首次宣布第六代平台采用 4F²架构。长鑫科技此前称，计划年底面向服务器领域推出融合 4F²技术的新一代 DDR5 RDIMM。需要注意，工程样片验证不等同于量产；该报道为单源且技术细节有限。长鑫科技称，三星和 SK 海力士也将 4F²列为 10nm 级以下的关键方向，而长鑫科技率先完成了工程样片验证。