据路透社援引两名知情人士，长鑫存储已向多家国内 AI 芯片设计公司送样 HBM3E，并计划在未来两个月内启动限量生产。消息称其良率仅 20%–30%，远低于 SK 海力士约 70% 的水平；测试性能更接近上一代 HBM3，且预计售价高于海外同类产品。在美国出口管制造成国内 AI 内存短缺的背景下，长鑫仍推进这一计划。
背景
HBM 通过垂直堆叠 DRAM 裸片并用硅通孔互连，为 AI 加速器提供远高于普通 DRAM 的带宽，其制造难点主要在堆叠良率和先进封装。6 月 24 日的日报曾报道，长鑫存储已在进行 HBM3 生产，并借助 IPO 和产能扩张挑战三星、SK 海力士与美光，但制程节点仍存在差距；此次送样 HBM3E 是在已有 HBM3 基础上的代际推进。
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社区讨论
若按计划限量生产，国内 AI 芯片设计公司可在出口管制下获得少量国产 HBM3E 供应，但 20%–30% 的良率意味着初期可供货量有限；由于测试性能更接近 HBM3 而非海外 HBM3E，采用方还需按实际带宽重新评估加速器设计与性能预期，并面对高于海外同类产品的预计售价。