台积电亚利桑那州 Fab 21 已开始采用定制 4NP 制程量产英伟达 Blackwell 晶圆，但这些晶圆仍需运往台湾进行 CoWoS-L 先进封装。 这凸显了美国半导体供应链的关键缺口：尽管已能本土制造先进逻辑芯片，但美国仍缺乏大规模先进封装和高带宽存储器（HBM）生产能力，导致持续依赖台湾设施，完整的供应链自主最早要到 2028-2029 年才能实现。 4NP 是为英伟达定制的 4nm 级工艺节点，而 CoWoS-L 结合了基板上晶圆上芯片（CoWoS）技术与 RDL 中介层和局部硅互连（LSI）。Amkor、台积电和 SK 海力士正在美国建设封装和 HBM 产能，但这些设施尚未投产。
背景
先进封装（如台积电的 CoWoS-L）对于英伟达 Blackwell 等高性能 AI 芯片至关重要，因为它能将多个芯片和存储器堆叠集成到一个封装中。美国半导体政策一直侧重于扩大本土制造能力，但封装和存储器供应链仍集中在亚洲，尤其是台湾和韩国。