长鑫存储总裁曹堪宇在上海一场行业会议上称，公司计划在年底前推出采用 4F² 设计的数据中心服务器内存芯片，若成功将先于三星和 SK 海力士实现这一设计突破。消息引发芯片股抛售，三星与 SK 海力士周二在韩国市场下跌逾 7%，美光隔夜下跌 4%。分析人士提醒，从产品发布到可盈利量产之间仍存在时间差，且目前公开信息中缺少具体技术细节。Counterpoint 数据显示，长鑫存储今年二季度 DRAM 市场份额升至 10%，去年同期为 4%。
背景
4F² 指把 DRAM 存储单元面积压缩到 4F² 的单元布局，通常与垂直栅极（vertical gate）结构相关；TrendForce 报道称三星（B1b 工艺，据称改名 D0a）与 SK 海力士也在推进各自的 4F² 方案，因此长鑫存储宣称的“领先”首先是时间点上的竞赛。Horizon 9 月 21 日的日报曾报道，长鑫科技在 2026 世界制造业大会上宣布第五代技术平台量产、24 GB LPDDR5X 已进入国产旗舰手机，但同样只有厂商宣布而缺少独立验证；本次的新内容是把 4F² 设计用于数据中心服务器内存，且仍是年底前推出的计划。
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社区讨论
对数据中心采购方和 DRAM 买家而言，直接后果是供应来源可能增加一个具备 4F² 设计的选项，但公司宣称不等于可盈利量产，分析人士已提示发布与量产之间的时间差，因此短期内不宜据此调整采购或产能规划；同时三星、SK 海力士与美光股价的明显下跌，反映出市场对现有厂商份额被侵蚀的即时担忧。