长江存储计划在武汉建设第四座工厂，预计 2027 年开工，目标是把国产设备采购比例提高到至少 60%、最高 70%，高于第三座工厂目前超过 50% 的水平。新工厂将生产超过 300 层的先进 NAND 闪存，主要面向数据中心和人工智能存储需求。报道同时指出，清洗、抛光和刻蚀设备预计成为国产化的主要增量，但光刻、检测等先进设备仍依赖海外供应商。长江存储在中国 NAND 市场的份额已升至 38.5%，超过三星。
背景
长江存储是中国最大的闪存芯片制造商，已在武汉建有三座工厂，其中第三座工厂的国产设备占比超过 50%。在美国出口管制推动设备国产化的背景下，公司计划把第四座工厂的国产设备比例进一步提高，这也使其成为观察中国半导体设备替代进展的一个具体案例。
社区讨论
对国产半导体设备商而言，这一计划意味着明确的增量集中在清洗、抛光和刻蚀环节；但光刻、检测等关键设备仍依赖海外，因此 60% 至 70% 的国产设备占比目标并不等于全链条替代。相关设备还需通过晶圆厂验证，才能进入量产采购。